There is provided a technique to form a single crystal semiconductor thin film or a substantially single crystal semiconductor thin film. An amorphous semiconductor thin film is irradiated with ultraviolet light or infrared light, to obtain a crystalline semiconductor thin film (102). Then, the crystalline semiconductor thin film (102) is subjected to a heat treatment at a temperature of 900 to 1200.degree. C. in a reducing atmosphere. The surface of the crystalline semiconductor thin film is extremely flattened through this step, defects in crystal grains and crystal grain boundaries disappear, and the single crystal semiconductor thin film or substantially single crystal semiconductor thin film is obtained.

Wird einer Technik zur Verfügung gestellt, zum eines Dünnfilms des Halbleiters des einzelnen Kristalles oder des Dünnfilms des Halbleiters des im wesentlichen einzelnen Kristalles zu bilden. Ein Dünnfilm des formlosen Halbleiters wird mit UV-Licht oder Infraredlicht bestrahlt, um einen Dünnfilm des kristallenen Halbleiters (102) zu erhalten. Dann wird der Dünnfilm des kristallenen Halbleiters (102) einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 900 zu 1200.degree unterworfen. C. in einer reduzierenden Atmosphäre. Die Oberfläche des Dünnfilms des kristallenen Halbleiters wird extrem durch diesen Schritt flachgedrückt, verschwinden Defekte in den Kristallkörnern und in den Kristallkristallgrenzen, und der Dünnfilm des Halbleiters des einzelnen Kristalles oder der Dünnfilm des Halbleiters des im wesentlichen einzelnen Kristalles wird erhalten.

 
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