A method and apparatus for making in situ measurements of process parameters in the adverse environment of manufacturing processes such as silicon wafer processing. Rather than using surrogate "smart wafers" that limit the ranges of processing parameters to those that allow the measuring circuitry to survive the process, the present method mounts, on the actual wafer, an enclosed, shielded apparatus in which the electronic circuitry is protected from the adverse effects of conditions such as high temperatures, electromagnetic radiation and plasmas. The wafer plus the mounted apparatus is then transported through the entire process cycle and measurements are made and recorded.

Um método e um instrumento para fazer em medidas do situ de parâmetros process no ambiente adverso de processos de manufacturing tais como processar do wafer de silicone. Melhor que usando "wafers espertos surrogate" esse limite as escalas de parâmetros processando àqueles que permitem que os circuitos de medição sobrevivam o processo, as montagens do método atual, no wafer real, um instrumento incluido, protegido em que os circuitos eletrônicos são protegidos dos efeitos adversos das condições tais como altas temperaturas, a radiação eletromagnética e os plasmas. O wafer mais o instrumento montado é transportado então através do ciclo process inteiro e as medidas são feitas e gravadas.