A single transistor ("1T") ferroelectric memory cell, device and method for the formation of the same incorporating a high temperature ferroelectric gate dielectric. The memory cell of the present invention comprises a substrate, an overlying ferroelectric layer, which may comprise a film of rare earth manganite, and an interfacial oxide layer intermediate the substrate and the ferroelectric layer. In a preferred embodiment, the ferroelectric material utilized in an implementation of the present invention may be deposited by metallorganic chemical vapor deposition ("MOCVD") or other techniques and exhibits a low relative dielectric permittivity of around 10 and forms an interfacial layer with a relative dielectric permittivity larger than that of SiO.sub.2, which makes it particularly suitable for a 1T cell.

Una solos célula, dispositivo y método ferroelectric de memoria del transistor ("1T") para la formación igual que incorpora un dieléctrico ferroelectric de alta temperatura de la puerta. La célula de memoria de la actual invención abarca un substrato, una capa ferroelectric sobrepuesta, que pueden abarcar una película de manganite de la tierra rara, y un intermedio diedro de la capa del óxido el substrato y la capa ferroelectric. En una encarnación preferida, el material ferroelectric utilizado en una puesta en práctica de la actual invención se puede depositar por la deposición de vapor químico metallorganic ("MOCVD") u otras técnicas y objetos expuestos una constante dieléctrica dieléctrica relativa baja de alrededor 10 y las formas a la capa diedra con una constante dieléctrica dieléctrica relativa más grande que la de SiO.sub.2, que hace particularmente conveniente para una célula del 1T.