There is provided a semiconductor device manufacturing method which comprises the steps of forming a first insulating film over a silicon substrate (semiconductor substrate), forming a lower electrode, a dielectric film, and an upper electrode of a capacitor on the first insulating film, forming a first capacitor protection insulating film for covering at least the dielectric film and the upper electrode, forming a second capacitor protection insulating film, which covers the first capacitor protection insulating film, by a chemical vapor deposition method in a state that a bias voltage is not applied to the silicon substrate, and forming a second insulating film on the second capacitor protection insulating film by the chemical vapor deposition method in a state that the bias voltage is applied to the silicon substrate.

Wird einer Halbleiterelement-Produktionsmethode zur Verfügung gestellt, die die Schritte von der Formung eines ersten isolierenden Filmes über einem Silikonsubstrat (Halbleitersubstrat) enthält und eine unterere Elektrode, einen dielektrischen Film und eine obere Elektrode eines Kondensators auf dem ersten isolierenden Film bildet und einen isolierenden Film des ersten Kondensatorschutzes für das Bedecken mindestens des dielektrischen Filmes und die obere Elektrode bildet, einen isolierenden Film des zweiten Kondensatorschutzes, der den isolierenden Film des ersten Kondensatorschutzes bedeckt, durch eine Absetzungmethode des chemischen Dampfes in einem Zustand bildet, daß eine Vorspannung nicht am Silikonsubstrat angewendet wird, und einen zweiten isolierenden Film auf dem isolierenden Film des zweiten Kondensatorschutzes bildet durch die Absetzungmethode des chemischen Dampfes in einem Zustand, daß die Vorspannung am Silikonsubstrat angewendet wird.