A ferroelectric memory comprises a first memory cell which is provided at a point where a first word line and a first or second bit line intersect, and has a first ferroelectric capacitor formed with a ferroelectric material as an insulating film, capacitor; a first sense amplifier connected to the first and second bit lines, for amplifying a signal read from the first memory cell; a second memory cell which is provided at a point where a second word line and a third or fourth bit line intersect, and has a second ferroelectric capacitor formed with a ferroelectric material as an insulating film; a second sense amplifier connected to the third and fourth bit lines, for amplifying a signal read from the second memory cell; a first switch for electrically connecting the first bit line and the third bit line; and a second switch for electrically connecting the second bit line and the fourth bit line.

Een ferroelectric geheugen bestaat uit een eerste geheugencel die op een punt waar een eerste woordlijn en een eerste of tweede beetjelijn snijdt, wordt verstrekt en een eerste ferroelectric condensator heeft die met een ferroelectric materiaal als isolerende film, condensator wordt gevormd; een eerste betekenisversterker verbond met de eerste en tweede beetjelijnen, voor het vergroten van een signaal dat van de eerste geheugencel wordt gelezen; een tweede geheugencel die is verstrekt bij punt waar een tweede woordlijn en een derde of vierde beetjelijn snijdt, en heeft een tweede ferroelectric condensator die met een ferroelectric materiaal als isolerende film wordt gevormd; een tweede betekenisversterker verbond met de derde en vierde beetjelijnen, voor het vergroten van een signaal dat van de tweede geheugencel wordt gelezen; een eerste schakelaar voor elektrisch het verbinden van de eerste beetjelijn en de derde beetjelijn; en een tweede schakelaar voor elektrisch het verbinden van de tweede beetjelijn en de vierde beetjelijn.