A semiconductor laser having a lower clad layer, an active layer, a first upper clad layer and a dry-etching stop layer, all the layers being successively laminated on a compound semiconductor substrate. The semiconductor laser further includes (i) a second upper clad layer, in the form of a ridge, formed above the first upper clad layer, (ii) an etching stop layer present only between the dry-etching stop layer and the second upper clad layer, and (iii) block layers formed at sides of the second upper clad layer.

Een halfgeleiderlaser een lagere beklede laag hebben, een actieve laag, een eerste hogere beklede laag en een droog-ets die houden laag tegen, alle lagen die opeenvolgend op een substraat van de samenstellingshalfgeleider worden gelamineerd. De halfgeleiderlaser omvat (i) een tweede hogere beklede laag, in de vorm van een rand, vormde zich boven de eerste hogere beklede laag, (ii) verder een de laagheden van het etseinde slechts tussen de laag van het droog-etseinde en de tweede hogere beklede laag, en (iii) bloklagen die aan kanten van de tweede hogere beklede laag worden gevormd.