A system of Flash EEprom memory chips with controlling circuits serves as non-volatile memory such as that provided by magnetic disk drives. Improvements include selective multiple sector erase, in which any combinations of Flash sectors may be erased together. Selective sectors among the selected combination may also be de-selected during the erase operation. Another improvement is the ability to remap and replace defective cells with substitute cells. The remapping is performed automatically as soon as a defective cell is detected. When the number of defects in a Flash sector becomes large, the whole sector is remapped. Yet another improvement is the use of a write cache to reduce the number of writes to the Flash EEprom memory, thereby minimizing the stress to the device from undergoing too many write/erase cycling.

Система внезапные микросхемы памяти EEprom с контролируя цепями служит как слаболетучая память such as то обеспеченное приводами магнитного диска. Улучшения вклюают селективный множественный участок стирают, в котором любые комбинации внезапных участков могут быть стерты совместно. Селективные участки среди выбранной комбинации могут также быть de-selected во время деятельности стирать. Другим улучшением будет способность remap и заменить неполноценные клетки с заместительскими клетками. Remapping выполнен автоматически как только неполноценная клетка обнаружена. Когда число дефектов в внезапном участке будет большим, весь участок remapped. Yet another улучшением будет польза тайника писания уменьшить номер пишет к внезапной памяти EEprom, таким образом уменьшая усилие к приспособлению от проходить too many задействовать write/erase.