A dynamic random access memory solves long-existing tight pitch layout problems using a multiple-dimensional bit line structure. Improvement in decoder design further reduces total area of this memory. A novel memory access procedure provides the capability to make internal memory refresh completely invisible to external users. By use of such memory architecture, higher performance DRAM can be realized without degrading memory density. The requirements for system support are also simplified significantly.

Ein dynamischer RAM löst lang-vorhandene feste Taktabstand Planprobleme mit Mehrfachmaßspitze Leitungsstruktur. Verbesserung im weiteren Decoderdesign verringert ganzes Gebiet dieses Gedächtnisses. Ein Verfahren des Romanspeicherzugriffs liefert die Fähigkeit, um internes vollständig unsichtbares zu den externen Benutzern Drucker zu lassen. Mittels solche Gedächtnisarchitektur kann höhere Leistung DRAM ohne entwürdigende Gedächtnisdichte verwirklicht werden. Die Anforderungen für System Unterstützung werden auch erheblich vereinfacht.

 
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< Nonvolatile magnetic storage device

< Semiconductor device having dummy cells and semiconductor device having dummy cells for redundancy

> Integrated memory with memory cell array

> Data register and access method thereof

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