A FRAM having a ferroelectric capacitor comprises a cylindrical type bottom electrode. A ferroelectric film is thinly stacked over the bottom electrode, and the first portion of the top electrode formed over and conformal to the ferroelectric film. A void that is left between sidewalls of the first portion of the electrode over the ferroelectric film is then filled with fill material for a fill layer. The fill material of the fill layer is then planarized to be level with and expose an upper surface of the first portion of the top electrode. A second portion of the top electrode is then formed over the fill layer and in contact with the exposed, e.g. peripheral regions of the first portion of the electrode. The fill material of the fill layer may be formed of polysilicon, silicon oxide or other material such as another metal. Additionally, the fill layer may be formed of a fill material that has a superior gap fill capability or of a material that has a low stress relationship with respect to the capacitor's top metal.

FRAM имея ferroelectric конденсатор состоит из электрода цилиндрического типа нижнего. Ferroelectric пленка тонко штабелирована над нижним электродом, и первой частью верхним излишек сформированный электродом и конформно к ferroelectric пленке. Свободное пространство оставлено между стенками первой части электрода над ferroelectric пленкой после этого заполнено с материалом заполнения для слоя заполнения. Материал заполнения слоя заполнения после этого planarized для того чтобы быть ровн с и подвергать действию верхняя поверхность первой части верхнего электрода. Вторая часть верхнего электрода после этого сформирована над слоем заполнения и in contact with подвергать действию, например периферийные зоны первой части электрода. Материал заполнения слоя заполнения может быть сформирован polysilicon, окиси кремния или другого материала such as другой металл. Дополнительно, слой заполнения может быть сформирован материала заполнения который имеет главную возможность заполнения зазора или материала который имеет низкое отношение усилия по отношению к металлу конденсатора верхнему.

 
Web www.patentalert.com

< Metal oxide materials

< Selectable decoupling capacitors for integrated circuit and methods of use

> Methods of preventing reduction of IrOx during PZT formation by metalorganic chemical vapor deposition or other processing

> Method for manufacturing non-volatile memory device and non-volatile memory and semiconductor device

~ 00099