A FRAM having a ferroelectric capacitor comprises a cylindrical type bottom
electrode. A ferroelectric film is thinly stacked over the bottom
electrode, and the first portion of the top electrode formed over and
conformal to the ferroelectric film. A void that is left between sidewalls
of the first portion of the electrode over the ferroelectric film is then
filled with fill material for a fill layer. The fill material of the fill
layer is then planarized to be level with and expose an upper surface of
the first portion of the top electrode. A second portion of the top
electrode is then formed over the fill layer and in contact with the
exposed, e.g. peripheral regions of the first portion of the electrode.
The fill material of the fill layer may be formed of polysilicon, silicon
oxide or other material such as another metal. Additionally, the fill
layer may be formed of a fill material that has a superior gap fill
capability or of a material that has a low stress relationship with
respect to the capacitor's top metal.
FRAM имея ferroelectric конденсатор состоит из электрода цилиндрического типа нижнего. Ferroelectric пленка тонко штабелирована над нижним электродом, и первой частью верхним излишек сформированный электродом и конформно к ferroelectric пленке. Свободное пространство оставлено между стенками первой части электрода над ferroelectric пленкой после этого заполнено с материалом заполнения для слоя заполнения. Материал заполнения слоя заполнения после этого planarized для того чтобы быть ровн с и подвергать действию верхняя поверхность первой части верхнего электрода. Вторая часть верхнего электрода после этого сформирована над слоем заполнения и in contact with подвергать действию, например периферийные зоны первой части электрода. Материал заполнения слоя заполнения может быть сформирован polysilicon, окиси кремния или другого материала such as другой металл. Дополнительно, слой заполнения может быть сформирован материала заполнения который имеет главную возможность заполнения зазора или материала который имеет низкое отношение усилия по отношению к металлу конденсатора верхнему.
