When a non-volatile memory cell is manufactured, in order to make a semiconductor process for forming a cell transistor to conform to a ferroelectric process for forming a ferroelectric capacitor, in accordance with the present invention, when a non-volatile memory device having a ferroelectric capacitor 18 that is formed from an organic thin film 8 capable of a polarization inversion by an external electric field and provided between a lower electrode 7 and an upper electrode 9, a material solution 80 for the organic thin film 8 is coated over the lower electrode 7 using an ink jet type recording head 15, and is solidified by a heat treatment or the like to thereby form the organic thin film 8. By the manufacturing method, the film forming temperature of the organic thin film 8 becomes to be lower than 150.degree. C..about.200.degree. C., and therefore damages are not inflicted on the cell transistor 17, and a ferroelectric process that conforms to a semiconductor process is provided.

Wanneer een niet-vluchtig geheugencel wordt vervaardigd om een halfgeleiderproces te maken om een celtransistor te vormen om met een ferroelectric proces in overeenstemming te zijn om een ferroelectric condensator, overeenkomstig de onderhavige uitvinding te vormen, wanneer is een niet-vluchtig geheugenapparaat dat een ferroelectric condensator 18 heeft die van een organische dunne film 8 geschikt voor een polarisatieinversie door een extern elektrisch gebied wordt gevormd en tussen een lagere elektrode 7 en een hogere elektrode 9 verstrekt, een materiële oplossing 80 voor organische dunne film 8 met een laag bedekt over lagere elektrode 7 die een inkt straaltype opnamehoofd 15 gebruikt, en door een thermische behandeling of dergelijke hard gemaakt daardoor vormen forming a cell transistor to conform to a ferroelectric process for forming a ferroelectric capacitor, in accordance with the present invention, when a non-volatile memory device having a ferroelectric capacitor 18 that is formed from an organic thin film 8 capable of a polarization inversion by an external electric field and provided between a lower electrode 7 and an upper electrode 9, a material solution 80 for the organic thin film 8 is coated over the lower electrode 7 using an ink jet type recording head 15, and is solidified by a heat treatment or the like to thereby form the organic thin film 8. Door de productiemethode, wordt de film die temperatuur van organische dunne film 8 vormt om lager te zijn dan 150.degree. C..about.200.degree. C., en daarom wordt de schade niet opgelegd op celtransistor 17, en een ferroelectric proces dat met een halfgeleiderproces in overeenstemming is wordt verstrekt.