A nitride semiconductor device that comprises a first layer, a second layer
and a buffer layer sandwiched between the first layer and the second
layer. The second layer is a layer of a single-crystal nitride
semiconductor material including AlN and has a thickness greater than the
thickness at which cracks would form if the second layer were grown
directly on the first layer. The buffer layer is a layer of a
low-temperature-deposited nitride semiconductor material that includes
AlN. Incorporating the nitride semiconductor device into a semiconductor
laser diode enables the laser diode to generate coherent light having a
far-field pattern that exhibits a single peak.
Un dispositif de semi-conducteur de nitrure qui comporte une première couche, une deuxième couche et un amortisseur posent serré entre la première couche et la deuxième couche. La deuxième couche est une couche d'un matériel de semi-conducteur de nitrure de simple-cristal comprenant AlN et a une épaisseur plus grande que l'épaisseur à laquelle les fissures formeraient si la deuxième couche étaient développées directement sur la première couche. La couche d'amortisseur est une couche d'un matériel bas-température-déposé de semi-conducteur de nitrure qui inclut AlN. Incorporating que le dispositif de semi-conducteur de nitrure dans une diode de laser de semi-conducteur permet à la diode de laser de produire de la lumière logique ayant un modèle de loin-champ qui montre une crête simple.
