Group-III nitride semiconductor light-emitting device and production method thereof

   
   

A high emission intensity group-III nitride semiconductor light-emitting device obtained by eliminating crystal lattice mismatch with substrate crystal and using a gallium nitride phosphide-based light emitting structure having excellent crystallinity. A gallium nitride phosphide-based multilayer light-emitting structure is formed on a substrate via a boron phosphide (BP)-based buffer layer. The boron phosphide-based buffer layer is preferably grown at a low temperature and rendered amorphous so as to eliminate the lattice mismatch with the substrate crystal. After the amorphous buffer layer is formed, it is gradually converted into a crystalline layer to fabricate a light-emitting device while keeping the lattice match with the gallium nitride phosphide-based light-emitting part.

Een hoge emissieintensiteit groep-iii het lichtgevende apparaat van de nitridehalfgeleider dat door de wanverhouding van het kristalrooster met substraatkristal te elimineren en een galliumnitride op fosfide-gebaseerde lichte uitzendende structuur wordt verkregen te gebruiken die uitstekende kristalliniteit heeft. Een galliumnitride op fosfide-gebaseerde multilayer lichtgevende structuur wordt gevormd op een substraat via een laag van de boriumfosfide op (bp)-Gebaseerde buffer. De borium op fosfide-gebaseerde bufferlaag wordt bij voorkeur gekweekt bij een lage temperatuur en amorf gemaakt om de roosterwanverhouding met het substraatkristal te elimineren. Nadat de amorfe bufferlaag wordt gevormd, wordt het geleidelijk aan omgezet in een kristallijne laag om een lichtgevend apparaat te vervaardigen terwijl het houden van de roostergelijke met het galliumnitride op fosfide-gebaseerde lichtgevende deel.

 
Web www.patentalert.com

< Quantum dot white and colored light-emitting devices

< Light-emitting element

> Radiation-emitting semiconductor chip and light-emitting diode

> Nitride semiconductor device

~ 00131