A high emission intensity group-III nitride semiconductor light-emitting
device obtained by eliminating crystal lattice mismatch with substrate
crystal and using a gallium nitride phosphide-based light emitting
structure having excellent crystallinity. A gallium nitride
phosphide-based multilayer light-emitting structure is formed on a
substrate via a boron phosphide (BP)-based buffer layer. The boron
phosphide-based buffer layer is preferably grown at a low temperature and
rendered amorphous so as to eliminate the lattice mismatch with the
substrate crystal. After the amorphous buffer layer is formed, it is
gradually converted into a crystalline layer to fabricate a light-emitting
device while keeping the lattice match with the gallium nitride
phosphide-based light-emitting part.
Een hoge emissieintensiteit groep-iii het lichtgevende apparaat van de nitridehalfgeleider dat door de wanverhouding van het kristalrooster met substraatkristal te elimineren en een galliumnitride op fosfide-gebaseerde lichte uitzendende structuur wordt verkregen te gebruiken die uitstekende kristalliniteit heeft. Een galliumnitride op fosfide-gebaseerde multilayer lichtgevende structuur wordt gevormd op een substraat via een laag van de boriumfosfide op (bp)-Gebaseerde buffer. De borium op fosfide-gebaseerde bufferlaag wordt bij voorkeur gekweekt bij een lage temperatuur en amorf gemaakt om de roosterwanverhouding met het substraatkristal te elimineren. Nadat de amorfe bufferlaag wordt gevormd, wordt het geleidelijk aan omgezet in een kristallijne laag om een lichtgevend apparaat te vervaardigen terwijl het houden van de roostergelijke met het galliumnitride op fosfide-gebaseerde lichtgevende deel.
