A ferroelectric memory device includes a simple matrix type memory cell
array. Provided that the maximum absolute value of a voltage applied
between a first signal electrode and a second signal electrode is Vs,
polarization P of a ferroelectric capacitor formed of the first signal
electrode, the second signal electrode, and ferroelectric layer is within
the range of 0.1P(+Vs)P(+1/3Vs) when the applied voltage is
changed from -Vs to +1/3Vs.
Um dispositivo de memória ferroelectric inclui um tipo simples disposição da matriz de pilha da memória. Contanto que o valor absoluto máximo de uma tensão se aplicou entre um primeiro elétrodo do sinal e um segundo elétrodo do sinal está contra, o polarization P de um capacitor ferroelectric dado forma do primeiro elétrodo do sinal, do segundo elétrodo do sinal, e da camada ferroelectric está dentro da escala 0.1P(+Vs) de P(+1/3Vs) quando a tensão aplicada é mudada de - contra a +1/3Vs.
