A PIN photodiode and method for forming the PIN photodiode are shown where
an intrinsic layer of the photodiode can be made arbitrarily thin and a
second active region of the photodiode substantially shields a first
active region of the photodiode. A fabrication substrate is lightly doped
in order to form the intrinsic layer of the photodiode. A void is formed
in a first surface of the fabrication substrate and a first active region
of the photodiode having a first conductivity type is formed in the void.
An oxide layer is also formed upon the first surface of the fabrication
substrate. A handling substrate is bonded to the first surface of the
fabrication substrate. A second surface of the fabrication substrate is
then lapped to a obtain a preselected thickness of the intrinsic layer. A
depth of the void is selected such that a portion of the first active
region is exposed at the second surface of the fabrication substrate after
lapping. A second active region of the photodiode having a second
conductivity type is formed on the second surface of the fabrication
substrate. The second active region may be formed such that it
substantially surrounds the exposed portion of the first active region. A
low resistance contact to the exposed portion of the first active region
is formed, where the area of contact is small. Also, dummy differential
contact can be formed on the topside of the photodiode adjacent to the low
resistance contact for use with a differential input receiver circuit.
Further, separate second active regions may be formed, with separate
contacts and one of the regions covered by an opaque layer, to obtain a
differential photodiode.
Показаны фотодиод и метод ШТЫРЯ для формировать фотодиод ШТЫРЯ где внутреннеприсущий слой фотодиода можно сделать произвольно тонко и вторая активно зона фотодиода существенн защищает первую активно зону фотодиода. Субстрат изготовления светло дан допинг для того чтобы сформировать внутреннеприсущий слой фотодиода. Свободное пространство сформировано в первой поверхности субстрата изготовления и первая активно зона фотодиода имея первый тип проводимости сформирована в свободном пространстве. Слой окиси также сформирован на первой поверхности субстрата изготовления. Регулируя субстрат скреплен к первой поверхности субстрата изготовления. Вторая поверхность субстрата изготовления после этого скложена к получать заранее выбранная толщина внутреннеприсущего слоя. Глубина свободного пространства выбрана таким что часть первой активно зоны подвергается действию на вторую поверхность субстрата изготовления после складывать. Вторая активно зона фотодиода имея второй тип проводимости сформирована на второй поверхности субстрата изготовления. Вторая активно зона может быть сформирована таким что она существенн окружает, котор подвергли действию часть первой активно зоны. Сформирован низкий контакт сопротивления к, котор подвергли действию части первой активно зоны, где зона контакта мала. Также, думмичный дифференциальный контакт можно сформировать на topside фотодиода за низким контактом сопротивления для пользы с дифференциальной цепью приемника входного сигнала. Более потом, отделите во-вторых активно зоны смогите быть сформировано, с отдельно контактами и одним зон предусматриванных опаковым слоем, для того чтобы получить дифференциальный фотодиод.
