Methods and systems for monitoring semiconductor fabrication processes are
provided. A system may include a stage configured to support a specimen
and coupled to a measurement device. The measurement device may include an
illumination system and a detection system. The illumination system and
the detection system may be configured such that the system may be
configured to determine multiple properties of the specimen. For example,
the system may be configured to determine multiple properties of a
specimen including, but not limited to, at least four properties of a
specimen such as critical dimension, overlay, a presence of macro defects,
and thin film characteristics. In this manner, a measurement device may
perform multiple optical and/or non-optical metrology and/or inspection
techniques.
Des méthodes et les systèmes pour surveiller des processus de fabrication de semi-conducteur sont fournis. Un système peut inclure une étape configurée pour soutenir un spécimen et couplée à un dispositif de mesure. Le dispositif de mesure peut inclure un système de flash et un système de détection. Le système de flash et le système de détection peuvent être configurés tels que le système peut être configuré pour déterminer les propriétés multiples du spécimen. Par exemple, le système ne peut être configuré pour déterminer les propriétés multiples d'un spécimen comprenant, mais être limité à, au moins quatre propriétés d'un spécimen telles que la dimension critique, le recouvrement, une présence de macro défauts, et des caractéristiques de la couche mince. De cette manière, un dispositif de mesure peut exécuter des techniques optiques et/ou non-optiques multiples de métrologie et/ou d'inspection.
