Numerous methods for forming various semiconductor structures are
disclosed. In one embodiment, a layered dielectric structure of
alternating sub-layers of a first dielectric material and a second
dielectric material is formed on a suitable semiconductor substrate. In
this embodiment, the layered dielectric structure comprises an alternating
pattern of at least two sub-layers of a first dielectric material which is
a high-K dielectric material and at least one layer of a second dielectric
material which is a standard-K dielectric material, wherein at least one
of the one or more second dielectric material sub-layers contain nitrogen
implanted therein using a nitridation step.
I metodi numerosi per formare le varie strutture a semiconduttore sono rilevati. In un incorporamento, una struttura dielettrica fatta uno strato di dei sub-layers alternati di un primo materiale dielettrico e di un secondo materiale dielettrico è formata su un substrato adatto a semiconduttore. In questo incorporamento, la struttura dielettrica fatta uno strato di contiene un modello alternato almeno due sub-layers di un primo materiale dielettrico che è un alto-K materiale dielettrico ed almeno uno strato di un secondo materiale dielettrico che è un materiale dielettrico standard-K, in cui almeno uno degli uno o più secondi sub-layers materiali dielettrici contiene l'azoto impiantati in ciò usando un punto di nitridation.
