Infrared-reflecting bodies

   
   

A light-permeable, IR-reflecting body which contains a stiff, amorphous base material comprised of light-permeable plastic and IR-reflecting particles which are oriented parallel to the surface, said light-permeable IR-reflecting body having a transmissivity (T) in the visible range of 45-75%, an overall energy permeability (g) of 30-60%, and a T/g ratio of >1.15, and the IR-reflecting particles oriented parallel to the surface are disposed in a coating layer comprised of a transparent water-insoluble binder, which layer is 5-40 micron thick and adheres to the base material, wherewith red-reflecting particles with a layer of titanium dioxide 60-120 nm thick on a platelet-shaped carrier pigment are present in the aforesaid coating layer in the amount of 20-40 wt. % of said coating layer.

Ένας ελαφρύς-διαπερατός, IR-APEJKONJ'ZONTAS το σώμα που περιέχει ένα δύσκαμπτο, άμορφο υλικό βάσεων που αποτελείται από τα ελαφρύς-διαπερατά πλαστικά και μόρια IR-APEJKO'NJSIS που είναι προσανατολισμένος παράλληλος στην επιφάνεια, εν λόγω ελαφρύς-διαπερατό σώμα IR-APEJKO'NJSIS που έχει μια μεταβιβασιμότητα (T) στην ορατή σειρά 45-75%, μια γενική ενεργειακή διαπερατότητα (ζ) 30-60%, και μια αναλογία T/g 1,15, και τα μόρια IR-APEJKO'NJSIS προσανατολισμένα παράλληλα στην επιφάνεια διατίθενται σε ένα στρώμα επιστρώματος που αποτελείται από έναν διαφανή water-insoluble σύνδεσμο, ποιο στρώμα είναι 5-40 μικρό παχύ και εμμένει στο υλικό βάσεων, με τι κόκκινος-απεικονίζοντας τα μόρια με ένα στρώμα του διοξειδίου τιτανίου 60-120 NM παχιού σε μια αιμοπετάλιο-διαμορφωμένη χρωστική ουσία μεταφορέων είναι παρόντα στο προαναφερθέν στρώμα επιστρώματος στο ποσό

 
Web www.patentalert.com

< Personal product liquid cleansers comprising combined fatty acid and water soluble or water swellable starch structuring system

< Process for preparing saturated carboxylic acids having from 1 to 4 carbon atoms

> Photolithographic pattern-forming material and method for formation of fine pattern therwith

> Interfacial barrier layer in semiconductor devices with high-K gate dielectric material

~ 00101