An integrated circuit can include gate structures designed to effect a work
function of a transistor. A first set of gate structures can have a first
work function and a second set of gate structures can have a second work
function. The gate structures include metal layers to affect changes in
the work function. The work function can affect the threshold voltage
associated with the transistors. The transistor can be built on a
silicon-on-insulator substrate.
Un circuito integrado puede incluir las estructuras de la puerta diseñadas para efectuar una función del trabajo de un transistor. Un primer sistema de estructuras de la puerta puede tener una primera función del trabajo y un segundo sistema de estructuras de la puerta puede tener una segunda función del trabajo. Las estructuras de la puerta incluyen capas del metal para afectar cambios en la función del trabajo. La función del trabajo puede afectar el voltaje del umbral asociado a los transistores. El transistor se puede construir en un substrato del silicio-en-aislador.
