A systematized semiconductor device having a gate insulating film which can
be formed thinner than a silicon oxide film and which is less susceptible
to deterioration. Further, a semiconductor device having improved
reliability in which an insulating film or a buried oxide film in an SOI
substrate with improved hot carrier resistance is provided. A MOSFET has a
gate insulating film composed of a two-layer film including a silicon
oxide film containing deuterium and a silicon nitride film containing
deuterium which are provided in this order on a silicon substrate and a
gate electrode composed of a three-layer film including a doped
polysilicon film, a barrier metal layer, and a metal film of tungsten are
provided in this order on the silicon nitride film. A silicon nitride film
is provided on the metal film and a coating insulating film covers the
gate insulating film, gate electrode and silicon nitride film.
Ein systematisiertes Halbleiterelement, das einen isolierenden Film des Gatters hat, der gebildeter Verdünner als ein Silikonoxidfilm sein können und der gegen Verschlechterung weniger empfindlilch ist. Weiter ein Halbleiterelement, das Zuverlässigkeit verbessert wird, in der ein isolierender Film oder ein begrabener Oxidfilm in einem SOI Substrat mit verbessertem heißem Fördermaschinewiderstand zur Verfügung gestellt wird. Ein MOSFET hat einen isolierenden Film des Gatters, der aus einem Zweischicht Film einschließlich einen Silikonoxidfilm besteht, der Deuterium enthält und ein Silikonnitridfilm, der Deuterium enthält, die in diesem Auftrag auf einem Silikonsubstrat und einer Gate-Elektrode zur Verfügung gestellt werden, die aus einem Dreischicht Film einschließlich einen lackierten polysilicon Film bestehen, eine Sperre Metallschicht und einen Metallfilm des Wolframs werden in diesem Auftrag auf dem Silikonnitridfilm zur Verfügung gestellt. Ein Silikonnitridfilm wird auf dem Metallfilm zur Verfügung gestellt und ein beschichtender isolierender Film bedeckt den isolierenden Film des Gatters, die Gate-Elektrode und den Silikonnitridfilm.
