Tunneling magnetoresistive head in current perpendicular to plane mode

   
   

A tunneling magnetoresistive head according to the present invention includes a tunneling magnetoresistive stack having a free layer, a barrier layer, a pinned layer and a pinning layer. The tunneling magnetoresistive stack is configured to operate in a current perpendicular to plane (CPP) mode, wherein a sense current flows substantially perpendicular to a longitudinal plane of the barrier layer. The tunneling magnetoresistive head includes a first shield and a second shield coupled to opposing sides of the tunneling magnetoresistive stack. The first and the second shields act as electrodes to couple the sense current to the tunneling magnetoresistive stack. The first shield has a concave shape and substantially surrounds the free layer. The tunneling magnetoresistive head also includes a spacer layer and a layer of antiferromagnetic material. The spacer layer is formed on the free layer. The layer of antiferromagnetic material is formed on the second spacer layer.

Прокладывая тоннель магниторезистивная головка согласно присытствыющему вымыслу вклюает стог прокладывать тоннель магниторезистивный имея свободно слой, слой барьера, прикалыванный слой и прикалывая слой. Стог прокладывать тоннель магниторезистивный установлен для того чтобы работать в в настоящее время перпендикуляре для того чтобы выстрогать режим (CPP), при котором течение чувства пропускает существенн перпендикулярно к продольной плоскости слоя барьера. Прокладывая тоннель магниторезистивная головка вклюает первый экран и второй экран соединенные к сопротивляясь сторонам стога прокладывать тоннель магниторезистивного. Действуют, что как электроды соединяют первые и вторые экраны течение чувства к стогу прокладывать тоннель магниторезистивному. Первый экран имеет вогнутую форму и существенн окружает свободно слой. Прокладывая тоннель магниторезистивная головка также вклюает слой прокладки и слой antiferromagnetic материала. Слой прокладки сформирован на свободно слое. Слой antiferromagnetic материала сформирован на втором слое прокладки.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetoresistive effect type of head, manufacturing method of magnetoresistive effect type of head, and information reproducing system

< Narrow track width magnetoresistive sensor and method of making

> Magnetic sensor

> Disk cartridge device for universally mounting and positioning disk cartridges having disks of different size diameters

~ 00102