A tunneling magnetoresistive head according to the present invention
includes a tunneling magnetoresistive stack having a free layer, a barrier
layer, a pinned layer and a pinning layer. The tunneling magnetoresistive
stack is configured to operate in a current perpendicular to plane (CPP)
mode, wherein a sense current flows substantially perpendicular to a
longitudinal plane of the barrier layer. The tunneling magnetoresistive
head includes a first shield and a second shield coupled to opposing sides
of the tunneling magnetoresistive stack. The first and the second shields
act as electrodes to couple the sense current to the tunneling
magnetoresistive stack. The first shield has a concave shape and
substantially surrounds the free layer. The tunneling magnetoresistive
head also includes a spacer layer and a layer of antiferromagnetic
material. The spacer layer is formed on the free layer. The layer of
antiferromagnetic material is formed on the second spacer layer.
Прокладывая тоннель магниторезистивная головка согласно присытствыющему вымыслу вклюает стог прокладывать тоннель магниторезистивный имея свободно слой, слой барьера, прикалыванный слой и прикалывая слой. Стог прокладывать тоннель магниторезистивный установлен для того чтобы работать в в настоящее время перпендикуляре для того чтобы выстрогать режим (CPP), при котором течение чувства пропускает существенн перпендикулярно к продольной плоскости слоя барьера. Прокладывая тоннель магниторезистивная головка вклюает первый экран и второй экран соединенные к сопротивляясь сторонам стога прокладывать тоннель магниторезистивного. Действуют, что как электроды соединяют первые и вторые экраны течение чувства к стогу прокладывать тоннель магниторезистивному. Первый экран имеет вогнутую форму и существенн окружает свободно слой. Прокладывая тоннель магниторезистивная головка также вклюает слой прокладки и слой antiferromagnetic материала. Слой прокладки сформирован на свободно слое. Слой antiferromagnetic материала сформирован на втором слое прокладки.
