In a memory, a bias circuit (112, 212, 312, 412) uses a current reference
(108) for providing a reference current and control circuitry (106, 120)
to bias a sense amplifier (114) with a varying voltage (V.sub.B). The
varying voltage maintains current through MRAM bit cells (177-179) at a
value proportional to the reference current over variations in average bit
cell resistance with immunity to variations in process, supply voltage and
temperature. In one form, a mock sense amplifier (122, 126, 132, 134) and
mock array of bit cells (130, 136) are used to establish internal steady
state voltages equivalent to a steady state condition of the sense
amplifier with equalized outputs and to generate the varying bias voltage.
Matching diode-connected transistors in each of the control circuitry and
either the mock sense amplifier or the sense amplifier is used to generate
the varying bias voltage.
In una memoria, un circuito diagonale (112, 212, 312, 412) usa un riferimento corrente (108) per fornire i circuiti della corrente e di controllo di riferimento (106, 120) per influenzare un amplificatore di senso (114) con una tensione di variazione (V.sub.B). La tensione di variazione effettua la corrente attraverso le cellule di punta di MRAM (177-179) ad un valore proporzionale alla corrente di riferimento sopra le variazioni nella resistenza media delle cellule di punta con immunità alle variazioni in lavorazione, la tensione di rifornimento e la temperatura. In una forma, un amplificatore falso di senso (122, 126, 132, 134) e l'allineamento falso delle cellule di punta (130, 136) sono utilizzati per stabilire costante interno dichiarano le tensioni equivalenti ad un costante dichiarano lo stato dell'amplificatore di senso con le uscite livellate e per generare la tensione di polarizzazione di variazione. Abbinare i transistori diodo-collegati in ciascuno dei circuiti di controllo e l'amplificatore falso di senso o l'amplificatore di senso è usato per generare la tensione di polarizzazione di variazione.
