The state of a surface of a substrate 11 or a GaN group compound
semiconductor film 12 formed on the substrate 11 is modified with an
anti-surfactant material and a GaN group compound semiconductor material
is supplied by a vapor phase growth method to form dot structures made of
the GaN group compound semiconductor on the surface of the semiconductor
film 12, and the growth is continued until the dot structures join and the
surface becomes flat. In this case, the dot structures join while forming
a cavity 21 on an anti-surfactant region. A dislocation line 22 extending
from the underlayer is blocked by the cavity 21, and therefore, the
dislocation density of an epitaxial film surface can be reduced. As a
result, the dislocation density of the GaN group compound semiconductor
crystal can be reduced without using a masking material in the epitaxial
growth, whereby a high quality epitaxial film can be obtained.
O estado de uma superfície de uma carcaça 11 ou de uma película 12 do semicondutor composto do grupo de GaN dada forma na carcaça 11 é modificado com um material do anti-anti-surfactant e um material do semicondutor composto do grupo de GaN é fornecido por um método do crescimento da fase do vapor para dar forma às estruturas do ponto feitas do semicondutor composto do grupo de GaN na superfície da película 12 do semicondutor, e o crescimento está continuado até que as estruturas do ponto juntem e a superfície se tornar plana. Neste caso, as estruturas do ponto juntam ao dar forma a uma cavidade 21 em uma região do anti-anti-surfactant. Uma linha de dislocation 22 que estende do underlayer é obstruída pela cavidade 21, e conseqüentemente, a densidade de dislocation de uma superfície epitaxial da película pode ser reduzida. Em conseqüência, a densidade de dislocation do cristal do semicondutor composto do grupo de GaN pode ser reduzida sem usar um material mascarando no crescimento epitaxial, por meio de que uma película epitaxial da qualidade elevada pode ser obtida.
