An extended voltage range level shifter is provided that includes an input
inverter and first and second circuit branches. The input inverter
includes thin-gate devices, is coupled to an internal power supply, and is
operable to receive internal data and to generate inverted internal data.
The first circuit branch includes a p-type, thick-gate transistor that has
a source coupled to an external power supply; a first n-type, thick-gate
transistor that has a drain coupled to a drain of the p-type transistor
and a gate operable to receive a reference voltage that is less than the
external power supply and greater than the internal power supply; and a
second n-type, thin-gate transistor that has a source coupled to ground, a
drain coupled to a source of the first n-type transistor, and a gate
operable to receive the internal data. The second circuit branch also
includes a p-type, thick-gate transistor that has a source coupled to the
external power supply, a drain coupled to a gate of the p-type transistor
for the first circuit branch, and a gate coupled to the drain of the
p-type transistor for the first circuit branch; a first n-type, thick-gate
transistor that has a drain coupled to a drain of the p-type transistor
and a gate operable to receive the reference voltage; and a second n-type,
thin-gate transistor that has a source coupled to ground, a drain coupled
to a source of the first n-type transistor, and a gate operable to receive
the inverted internal data.
Een uitgebreide het niveaudraaier wordt van de voltagewaaier verstrekt die een inputomschakelaar en eerst en tweede kringstakken omvat. De inputomschakelaar omvat dun-poortapparaten, aan een interne machtslevering gekoppeld, en is opereerbaar om interne gegevens te ontvangen en omgekeerde interne gegevens te produceren. De eerste kringstak omvat een p-type, dik-poorttransistor die een bron heeft die aan een externe machtslevering wordt gekoppeld; een eerste n-type, dik-poorttransistor die een afvoerkanaal heeft dat aan een afvoerkanaal van p-type de opereerbare transistor en een poort wordt gekoppeld een verwijzingsvoltage te ontvangen dat minder dan de externe machtslevering en groter is dan de interne machtslevering; en een tweede n-type, dun-poorttransistor die een bron die aan grond wordt gekoppeld, een afvoerkanaal die aan een bron van eerste de n-type transistor wordt gekoppeld, en een opereerbare poort heeft de interne gegevens te ontvangen. De tweede kringstak omvat ook een p-type, dik-poorttransistor die een bron heeft die aan de externe machtslevering wordt gekoppeld, een afvoerkanaal dat aan een poort van de p-type transistor voor de eerste kringstak, en een poort wordt gekoppeld die aan het afvoerkanaal van de p-type transistor voor de eerste kringstak wordt gekoppeld; een eerste n-type, dik-poorttransistor die een afvoerkanaal heeft dat aan een afvoerkanaal van p-type de opereerbare transistor en een poort wordt gekoppeld het verwijzingsvoltage te ontvangen; en een tweede n-type, dun-poorttransistor die een bron die aan grond wordt gekoppeld, een afvoerkanaal die aan een bron van eerste de n-type transistor wordt gekoppeld, en een opereerbare poort heeft de omgekeerde interne gegevens te ontvangen.
