Back-drive circuit protection for I/O cells using CMOS process

   
   

In a high tolerance I/O interface with over-voltage protection during 5V tolerant mode and back-drive mode, includes pass gate circuitry to isolate the output of the driver circuit and input of the receiver circuit from the pad voltage during stress mode. The gate voltage of the PMOS transistor of the pass gate is charged up to avoid gate oxide breakdown during stress mode. Also, the gate and well of the driver pull-up transistor are charged to NG1 to avoid current flow through the transistor and to its well.

In een hoge tolerantie I/O interface met overvoltagebescherming tijdens 5V verdraagzame wijze en achter-aandrijvingswijze, omvat het schakelschema van de paspoort om de output van de bestuurderskring en input van de ontvangerskring van het stootkussenvoltage tijdens spanningswijze te isoleren. Het poortvoltage van de PMOS transistor van de paspoort wordt geladen tot vermijdt de analyse van het poortoxyde tijdens spanningswijze. Ook, wordt de poort en goed van de bestuurders pull-up transistor geladen aan NG1 om huidige stroom door de transistor goed te vermijden en aan zijn.

 
Web www.patentalert.com

< High-speed photon detector and no cost method of forming the detector

< Extended voltage range level shifter

> Output driver with over voltage protection

> Thermal shutdown circuit

~ 00139