An amorphous silicon thin film is formed on a substrate first. Then the
thin film is irradiated by a laser plus having an irradiation interval
along a first direction to re-crystallize the thin film into a polysilicon
thin film. A light source is thereafter focused into a micro spot having a
diameter smaller than the irradiation interval, and the polysilicon thin
film is irradiated by the micro spot moving along the first direction and
having a relative moving distance to obtain a spectrum.
Une couche mince de silicium amorphe est formée sur un substrat d'abord. Alors la couche mince est irradiée par un laser plus avoir un intervalle d'irradiation le long d'une première direction pour recristalliser la couche mince dans une couche mince de polysilicon. Une source lumineuse est ensuite focalisée dans une tache micro ayant un diamètre plus petit que l'intervalle d'irradiation, et la couche mince de polysilicon est irradiée par la tache micro se déplaçant le long de la première direction et ayant une distance mobile relative pour obtenir un spectre.
