A semiconductor device and a process for fabricating the device, the
process including steps of depositing on the silicon substrate a layer
comprising at least one high-K dielectric material, whereby a quantity of
silicon dioxide is formed at an interface between the silicon substrate
and the high-K dielectric material layer; depositing on the high-K
dielectric material layer a layer of a metal; and diffusing the metal
through the high-K dielectric material layer, whereby the metal reduces at
least a portion of the silicon dioxide to silicon and the metal is
oxidized to form a dielectric material having a K value greater than
silicon dioxide. In another embodiment, the metal is implanted into the
interfacial layer. A semiconductor device including such metal layer and
implanted metal is also provided.
Un dispositivo de semiconductor y un proceso para fabricar el dispositivo, el proceso incluyendo pasos de depositar en el substrato del silicio a la capa que abarca por lo menos un material dieléctrico alto-K, por el que una cantidad de dióxido del silicio esté formada en un interfaz entre el substrato del silicio y la capa material dieléctrica alta-K; depositando en la capa material dieléctrica alta-K a la capa de un metal; y difundir el metal con la capa material dieléctrica alta-K, por el que el metal reduzca por lo menos una porción del dióxido del silicio al silicio y al metal se oxida para formar un material dieléctrico que tiene un valor de K mayor que el dióxido del silicio. En otra encarnación, el metal se implanta en la capa diedra. Un dispositivo de semiconductor incluyendo tal capa del metal y metal implantado también se proporciona.
