Triple base bipolar phototransistor

   
   

A high gain phototransistor uses lateral and vertical transistor structures and a triple base. The base regions of two vertical structures are in the bulk of a semiconductor substrate while the base of a single lateral structure is adjacent a light receiving phototransistor surface. Minority carrier generation extends from the base region of the lateral transistor to the base regions of the vertical transistors and is present in the vertical regions within a diffusion length of the optically generated carriers of the lateral base. The bases of all three transistor structures are electrically connected. The collector electrodes of one of the vertical structures and the lateral structure are electrically connected, while the emitter electrodes of the other of the vertical structures and the lateral structures are electrically connected. Finally, the remaining vertical collector and emitter electrodes are electrically connected via a buried layer adjacent the phototransistor wafer substrate.

Een hoge aanwinstenfototransistor gebruikt zij en verticale transistorstructuren en een drievoudige basis. De basisgebieden van twee verticale structuren zijn in het grootste deel van een halfgeleidersubstraat terwijl de basis van één enkele zijstructuur adjacent een licht is dat fototransistoroppervlakte ontvangt. De de dragergeneratie van de minderheid breidt zich van het basisgebied uit van de zijtransistor tot de basisgebieden van de verticale transistors en is aanwezig in de verticale gebieden binnen een verspreidingslengte van de optisch geproduceerde dragers van de zijbasis. De basissen van alle drie transistorstructuren worden elektrisch verbonden. De collectorelektroden van één van de verticale structuren en de zijstructuur worden elektrisch verbonden, terwijl de zenderelektroden van andere van de verticale structuren en de zijstructuren elektrisch worden verbonden. Tot slot worden de resterende verticale collector en de zenderelektroden elektrisch aangesloten via een begraven laag adjacent het substraat van het fototransistorwafeltje.

 
Web www.patentalert.com

< Header assembly having integrated cooling device

< Method and apparatus for authenticating a signature

> Disposable tissue probe tip

> Apparatus for integrated monitoring of wafers and for process control in the semiconductor manufacturing and a method for use thereof

~ 00104