A memory system that generates a reference voltage unaffected by supply
voltage variations and is suitable for performing burn-in test is
attainable by employing the following configuration. For example, in an
MRAM containing a TMR element (Rij) and an N channel MOS transistor (Mij),
as memory element, there is disposed a switching circuit (SW1) capable of
switching between the state of applying a reference voltage (VrefN) to a
memory element and the state of applying a reference voltage (VrefB) for
burn-in test having a larger value than the reference voltage (VrefN) to
the memory element. At the time of burn-in test, instead of the reference
voltage (VrefN) for normal read operation, the reference voltage (VrefB)
for burn-in test can be applied via a sense circuit (SC) to the memory
element, by applying mode change signals (MODE1 to MODEn) from the
exterior and operating the switching circuit (SW1) via a decode circuit
(TD).
Un système de mémoire qui produit d'une tension de référence inchangée par des variations de tension d'alimentation et convient à réaliser l'essai de brûlure est possible en utilisant la configuration suivante. Par exemple, dans un MRAM contenir un élément de TMR (Rij) et un transistor de MOS de canal de N (Mij), comme élément de mémoire, là est disposé un circuit de commutation (SW1) capable du changement entre l'état de s'appliquer une tension de référence (VrefN) à un élément de mémoire et l'état de s'appliquer une tension de référence (VrefB) pour l'essai de brûlure ayant une plus grande valeur que la tension de référence (VrefN) à l'élément de mémoire. À l'heure de l'essai de brûlure, au lieu de la tension de référence (VrefN) pour l'opération "lecture" normale, la tension de référence (VrefB) pour l'essai de brûlure peut être appliquée par l'intermédiaire d'un circuit de sens (Sc) à l'élément de mémoire, en appliquant les signaux de changement de mode (MODE1 à MODEn) à partir de l'extérieur et en actionnant le circuit de commutation (SW1) par l'intermédiaire d'un circuit de décodage (TD).
