A new nonvolatile hybrid memory cell stacked architecture is provided. The
cells are comprised of magnetic spin storage elements stacked on top of
each other on a silicon substrate, as well as one or two semiconductor FET
isolation elements.
Se proporciona una nueva arquitectura apilada híbrida permanente de la célula de memoria. Las células se abarcan de los elementos magnéticos del almacenaje de la vuelta apilados encima de uno a en un substrato del silicio, así como un o dos elementos del aislamiento del FET del semiconductor.
