The present invention relates to a method for fabricating a capacitor in a
semiconductor device; and, more particularly, to a method for fabricating
a capacitor capable of stably forming a nitride layer on a lower electrode
and obtaining improvements on stable capacitance and leakage current
characteristics. The inventive method for fabricating a capacitor includes
the steps of: forming a lower electrode on a substrate; forming a
nitride-based first dielectric thin layer on the lower electrode; forming
a second dielectric thin layer by depositing an Al.sub.2 O.sub.3 layer on
the nitride-based first dielectric thin layer; forming a third dielectric
thin layer on the second dielectric thin layer; and forming an upper
electrode on the third dielectric thin layer.
A invenção atual relaciona-se a um método para fabricar um capacitor em um dispositivo de semicondutor; e, mais particularmente, a um método para fabricar um capacitor capaz estàvel de dar forma a uma camada do nitride em um elétrodo mais baixo e de obter melhorias em características estáveis da corrente da capacidade e do escapamento. O método inventive para fabricar um capacitor inclui as etapas de: dando forma a um elétrodo mais baixo em uma carcaça; dando forma a uma primeira camada fina dieléctrica nitride-baseada no elétrodo mais baixo; dando forma a uma segunda camada fina dieléctrica depositando uma camada de Al.sub.2 O.sub.3 na primeira camada fina dieléctrica nitride-baseada; dando forma a uma terceira camada fina dieléctrica na segunda camada fina dieléctrica; e dando forma a um elétrodo superior na terceira camada fina dieléctrica.
