An array of transistors includes a plurality of charge storage transistors
and a plurality of dummy transistors interspersed with the plurality of
charge storage transistors. Each of the plurality of the dummy transistors
is made using the same photolithographic masking steps as each of the
plurality of the charge storage transistors. A method of operating the
array includes programming and/or erasing the array of transistors, and
reading the plurality of charge storage transistors but not the plurality
of dummy transistors.
Een serie van transistors omvat een meerderheid van de transistors van de lastenopslag en een meerderheid van proeftransistors die met de meerderheid van de transistors van de lastenopslag worden gestrooid. Elk van de meerderheid van de proeftransistors wordt gemaakt gebruikend de zelfde photolithographic maskerende stappen zoals elk van de meerderheid van de transistors van de lastenopslag. Een methode om de serie in werking te stellen omvat programmering en/of de serie van transistors te wissen, en de meerderheid van de transistors van de lastenopslag maar niet de meerderheid van proeftransistors te lezen.
