There is provided a magnetic memory including first and second wirings
intersecting each other and disposed apart from each other, a
magnetoresistance effect film positioned between the first and second
wirings, and a first magnetic film including a first portion facing the
magnetoresistance effect film with the first wiring interposed
therebetween and a pair of second portions positioned on both sides of the
first wiring and magnetically connected to the first portion, each of the
first and second portions having either one of a high saturation
magnetization soft magnetic material containing cobalt and a
metal-nonmetal nano-granular film.
Se proporciona una memoria magnética incluyendo primero y los segundos cableados que se intersecan y dispuestos aparte de uno a, una película del efecto de la magnetorresistencia colocada entre los primeros y segundos cableados, y una primera película magnética incluyendo una primera porción que hace frente a la película del efecto de la magnetorresistencia con el primer cableado interpuesto therebetween y un par de las segundas porciones colocadas en ambos lados del primer cableado y conectadas magnético con la primera porción, cada uno de las primeras y segundas porciones que tienen cualquiera una de un material magnético suave de la alta magnetización de la saturación que contiene el cobalto y una película nano-granular metal-nonmetal.
