A method for the manufacturing of a Thin Film Inorganic Light Emitting
Diode is disclosed. The device contains in one single layer or in a double
layer a dispersion of zinc sulfide doped with a luminescent centre, and a
water-compatible p-type semiconductive polymer, preferably a
polythiophene/polymeric polyanion complex.
Een methode voor de productie van een Anorganische Lichte Uitzendende Diode van de Dunne Film wordt onthuld. Het apparaat bevat in één enkele laag of in een dubbele laag een verspreiding van zinksulfide dat met een lichtend centrum wordt gesmeerd, en een water-compatibel systeem p-type semiconductive polymeer, bij voorkeur een complexe polythiophene/een polymere polyanion.
