Disclosed is a chemical mechanical polishing (CMP) system for polishing a
sample with a polishing agent and monitoring the sample. The CMP system
includes a polishing table, a sample carrier arranged to hold the sample
over the polishing table, and an eddy probe. The polishing table and
sample carrier are arranged to receive a polishing agent between the
sample and the polishing table and to polish the sample by moving the
polishing table and the sample carrier relative to each other. The eddy
probe is arranged to be operable to obtain a measurement of the sample
while the sample is being polished. The CMP system further includes an
optical measurement device arranged to be operable to obtain a measurement
of the sample while the sample is being polished. The CMP system also has
a memory and a processor coupled with the memory. The processor and memory
are adapted for operating the eddy probe and optical measurement device.
É divulgado um sistema (CMP) lustrar mecânico químico para lustrar uma amostra com um agente lustrando e monitorar a amostra. O sistema do CMP inclui uma tabela lustrando, um portador da amostra arranjado para prender o excesso da amostra a tabela lustrando, e uma ponta de prova do eddy. A tabela e o portador lustrando da amostra são arranjados para receber um agente lustrando entre a amostra e a tabela lustrando e para lustrar a amostra movendo a tabela lustrando e o portador da amostra relative.to. A ponta de prova do eddy é arranjada para ser operável obter uma medida da amostra quando a amostra for lustrada. O sistema do CMP mais adicional inclui um dispositivo ótico da medida arranjado para ser operável obter uma medida da amostra quando a amostra for lustrada. O sistema do CMP tem também uma memória e um processador acoplados com a memória. O processador e a memória são adaptados operando a ponta de prova do eddy e o dispositivo ótico da medida.
