For a verify operation using potential Vbi', the data of a memory cell is
preliminarily read by using potential Vai+1 and the state of the memory
cell is stored in a latch circuit. Then, a verify/read operation is
conducted by using-potential Vbi'. If the state of the cell is higher than
Ai+1, the outcome of the verify/read operation is forcibly brought down to
a low level. Thus, only two latch circuits are required for storing an
n-bit data, including one for storing the data to be written and one for
preliminarily reading if the state of the cell is higher than Ai+1 or not
and storing the outcome of the preliminary reading.
Für einen überprüfenbetrieb mit möglichem Vbi ', werden die Daten einer Speicherzelle einleitend gelesen, indem man Potential Vai+1 verwendet und der Zustand der Speicherzelle wird in einem Verriegelung Stromkreis gespeichert. Dann wird ein verify/read Betrieb durch Verwendenpotential Vbi ' geleitet. Wenn der Zustand der Zelle höher als Ai+1 ist, wird das Resultat des verify/read Betriebes gewaltsam zu einem niedrigen Niveau gesenkt. So werden nur zwei Verriegelung Stromkreise für die Speicherung Nspitze Daten, einschließlich eine für die Speicherung der geschrieben zu werden angefordert Daten, und eine für einleitend lesen, wenn der Zustand der Zelle höher als Ai+1 ist oder nicht und das Resultat des einleitenden Messwertes speichernd.
