A low-EMI circuit which realizes a high mounting density by converting the
potential fluctuation of a power supply layer with respect to a ground
layer which occurs on switching an IC device etc., into Joule's heat in
the substrate without using any parts as a countermeasure against the EMI.
Its structure, a circuit board using it, and a method of manufacturing the
circuit board are also disclosed. Parallel plate lines in which the
Q-value of the stray capacitance between solid layers viewed from the
power supply layer and ground layer is equivalently reduced and which are
matchedly terminated by forming a structure in which a resistor (resistor
layer) and another ground layer are provided in addition to the power
supply layer and the ground layer on a multilayered circuit board. A
closed shield structure is also disclosed.
Un circuit bas-IEM qui réalise une densité élevée de support en convertissant la fluctuation potentielle d'une couche d'alimentation d'énergie en ce qui concerne une couche au sol qui se produit sur commuter un dispositif etc. d'IC, dans la chaleur du Joule dans le substrat sans employer toutes parties en tant que contre-mesures contre l'IEM. Sa structure, une carte en utilisant le, et une méthode de fabriquer la carte sont également révélées. Le plat parallèle raye dans ce que la Q-valeur de la capacité parasite entre les couches pleines a regardé de la couche d'alimentation d'énergie et couche de la terre est d'une manière equivalente réduite et ce qui sont matchedly terminés en formant une structure en laquelle une résistance (couche de résistance) et une autre couche au sol sont fournies en plus de la couche d'alimentation d'énergie et de la couche au sol sur une carte multicouche. Une structure fermée de bouclier est également révélée.
