Methods for producing metal nitride thin layers having low resistivity by
means of atomic layer deposition processes comprising alternate surface
reactions of metal and nitrogen source materials include using nitrogen
source materials that have better reducing properties than ammonia and
1,1-dimethyl hydrazine. Suitable compounds for that purpose include those
in which a hydrocarbon group bound to nitrogen, when dissociating in a
homolytic manner, generates a radical that serves as a reducing agent and
reacts further to generate atomic hydrogen. The nitride thin layers
produced are especially suitable for use as diffusion barrier layers in
integrated circuits.
Los métodos para producir las capas delgadas del nitruro del metal que tienen resistencia baja por medio de los procesos atómicos de la deposición de la capa que abarcan reacciones superficiales alternas de los materiales de fuente del metal y del nitrógeno incluyen con los materiales de fuente del nitrógeno que tienen mejor reducción de características que el amoníaco y la hidracina 1,1-dimethyl. Los compuestos convenientes para ese propósito incluyen los en las cuales un grupo del hidrocarburo limite al nitrógeno, al disociar de una manera homolítica, generan un radical que sirva como agente de reducción y reaccione más lejos para generar el hidrógeno activo. Las capas delgadas del nitruro producidas son especialmente convenientes para el uso como capas de barrera de difusión en circuitos integrados.
