Where there are wirings with different film thicknesses or a sheet
resistance in a non-scraped state of a wiring layer cannot be obtained as
a result of the CPM technique, a wiring resistance according to a film
thickness when an LSI is manufactured is acquired by automatic processing
to reduce its difference from a real resistance, and accurate voltage drop
analysis is carried out to reduce malfunction in a real chip. In a
semiconductor circuit device with a plurality of kinds of film thicknesses
in the same wiring layer, with a variation occurring in the wiring film
thickness when wirings are formed on a silicon wafer, or a warp occurring
in an upper layer because the stacking of lower layers is not uniform in
the manufacturing process of the wiring, an error of the wiring resistance
due to the difference in the film thickness or warp of the wiring is
corrected to produce a virtual layout data.
Onde há umas fiações com espessuras de película diferentes ou uma resistência de folha em um estado non-raspado de uma camada da fiação não pode ser obtida em conseqüência da técnica do CPM, uma resistência da fiação de acordo com uma espessura de película quando um LSI é manufactured é adquirida processar automático para reduzir sua diferença de uma resistência real, e pela análise exata da queda de tensão é realizada para reduzir o mau funcionamento em uma microplaqueta real. Em um dispositivo do circuito de semicondutor com um plurality dos tipos de espessuras de película na mesma camada da fiação, com uma variação ocorrer na espessura de película da fiação quando as fiações são dadas forma em um wafer de silicone, ou em uma urdidura que ocorre em uma camada superior porque o empilhamento de umas camadas mais baixas não é uniforme no processo de manufacturing da fiação, em um erro da resistência da fiação devido à diferença na espessura de película ou na urdidura da fiação é corrigido para produzir uns dados virtuais da disposição.
