A method for textured surfaces in non volatile floating gate tunneling
oxide (FLOTOX) devices, e.g. FLOTOX transistors, are provided. The present
invention capitalizes on using "self-structured masks" and a controlled
etch to form nanometer scale microtip arrays in the textured surfaces. The
new method produces significantly larger tunneling currents for a given
voltage than attained in prior work. The new method is advantageously
suited for the much higher density, non volatile FLOTOX transistors
desired for use in flash memories and in electronically erasable and
programmable read only memories (EEPROMs). These FLOTOX transistors are
candidates for replacing the low power operation transistors found in
DRAMs.
Обеспечен метод для текстурированных поверхностей в non испаряющих плавая приспособлениях окиси прокладывать тоннель строба (FLOTOX), например транзисторах FLOTOX. Присытствыющий вымысел пишет прописными буквами на использовании "собственн-sostavlennyx маск" и controlled etch сформировать блоки microtip маштаба нанометра в текстурированных поверхностях. Новый метод производит значительно более большие течения прокладывать тоннель для, котор дали напряжения тока чем достигано в прежней работе. Новый метод выгодн одет для гораздо высокее плотности, non испаряющих транзисторов FLOTOX желательных для пользы в внезапных памятях и в электронно стираемых и programmable прочитанных только памятях (EEPROMs). Эти транзисторы FLOTOX будут выбранными для заменять ть низкие транзисторы деятельности силы найденные в dRAMs.
