A magnetoresistance effect element has two ferromagnetic films separated by
an interlayer film coupling the magnetization of one ferromagnetic layer
in a direction perpendicular to the magnetization direction of the other
ferromagnetic film, with an antiferromagnetic layer disposed adjacent to
one of the ferromagnetic layers, and a free magnetic layer disposed
adjacent to an antiferromagnetic film. The heat treatment for producing in
the free layer a simple magnetic domain and the heat treatment for fixing
the magnetizations of the ferromagnetic layers are simultaneously carried
out. Thereby, because maintaining a difference between the blocking
temperature of the antiferromagnetic layer adjacent to the free layer and
the blocking temperature of an antiferromagnetic layer adjacent to the pin
layer becomes unnecessary, an antiferromagnetic layer having a high
exchange coupling magnetic field and a high blocking temperature can be
selected. Also, because the allowable range to the dispersion of the
exchange coupling magnetic field is widen, thinning of the film of the
antiferromagnetic layer can be realized and the magnetoresistance effect
element can be suitably applied to a magnetic reproducing head requiring a
narrow gap.
Ένα magnetoresistance στοιχείο επίδρασης διαθέτει δύο σιδηρομαγνητικές ταινίες που χωρίζονται από μια ταινία ενδιάμεσων στρωμάτων συνδέοντας τη μαγνήτιση ενός σιδηρομαγνητικού στρώματος σε μια κάθετο κατεύθυνσης με την κατεύθυνση μαγνήτισης της άλλης σιδηρομαγνητικής ταινίας, με ένα αντισιδηρομαγνητικό στρώμα που διατίθεται δίπλα σε ένα από τα σιδηρομαγνητικά στρώματα, και ένα ελεύθερο μαγνητικό στρώμα δίπλα σε μια αντισιδηρομαγνητική ταινία. Η θερμική επεξεργασία για την παραγωγή στο ελεύθερο στρώμα μιας απλής μαγνητικής περιοχής και η θερμική επεξεργασία για τον καθορισμό των μαγνητίσεων των σιδηρομαγνητικών στρωμάτων πραγματοποιούνται ταυτόχρονα. Με αυτόν τον τρόπο, επειδή η διατήρηση μιας διαφοράς μεταξύ της θερμοκρασίας φραξίματος του αντισιδηρομαγνητικού στρώματος δίπλα στο ελεύθερο στρώμα και της θερμοκρασίας φραξίματος ενός αντισιδηρομαγνητικού στρώματος δίπλα στο στρώμα καρφιτσών γίνεται περιττή, ένα αντισιδηρομαγνητικό στρώμα που έχει μια υψηλή ανταλλαγή που συνδέει το μαγνητικό πεδίο και μια υψηλή θερμοκρασία φραξίματος μπορεί να επιλεχτεί. Επίσης, επειδή η επιτρεπόμενη σειρά στη διασπορά της ανταλλαγής που συνδέει το μαγνητικό πεδίο είναι διευρύνετε, η εκλέπτυνση της ταινίας του αντισιδηρομαγνητικού στρώματος μπορεί να συνειδητοποιηθεί και το magnetoresistance στοιχείο επίδρασης μπορεί να εφαρμοστεί κατάλληλα σε ένα μαγνητικό κεφάλι αναπαραγωγής που απαιτεί ένα στενό χάσμα.
