There is provided a magnetoresistive film in which an interlayer coupling
field H.sub.in is minimized and a large regeneration output is produced. A
multilayered film includes an underlayer 1, an antiferromagnetic layer 2,
a pinned magnetic layer 3, a nonmagnetic middle layer 4, and a free
magnetic layer 5, the pinned magnetic layer comprises a first soft
magnetic layer 3.sub.-- 1 and a second soft magnetic layer 3.sub.-- 3
formed of soft magnetic materials and an antiparallel coupling middle
layer 3.sub.-- 2, formed between the soft magnetic layers, for coupling
the magnetizations of the soft magnetic layers to each other in opposite
directions, the antiferromagnetic layer comprises an ordered-form
antiferromagnetic material including Mn, and a second underlayer 1.sub.--
2 as a direct substrate of the antiferromagnetic layer comprises a metal
selected from the group consisting of Ru, Os, Re, Tc, Cd, Ti, Zn, Al, Au,
Ir, Pd, Pt, Rh, Ag, Nb, Mo, W, V, and .alpha.-Ta or an alloy including an
element of the selected metal.
Wird einem magnetoresistenten Film zur Verfügung gestellt, in dem eine Zwischenlagekoppelung H.sub.in wird herabgesetzt auffangen und ein großer Regenerationsausgang wird produziert. Ein vielschichtiger Film schließt ein underlayer 1, eine antiferromagnetic Schicht 2, eine festgesteckte magnetische Schicht 3, eine antimagnetische mittlere Schicht 4 ein, und eine freie magnetische Schicht 5, die festgesteckte magnetische Schicht enthält eine erste weiche magnetische Schicht 3.sub. - - 1 und eine zweite weiche magnetische Schicht 3.sub. - - 3 bildeten sich von den weichen magnetischen Materialien und von einem antiparallel, das mittlere Schicht 3.sub verbindet. - - 2, gebildet zwischen den weichen magnetischen Schichten, für die Magnetisierung der weichen magnetischen Schichten miteinander verbinden in den entgegengesetzten Richtungen, die antiferromagnetic Schicht enthält ein Bestellenform antiferromagnetic Material einschließlich Mangan und ein zweites underlayer 1.sub. - - 2 wie ein direktes Substrat der antiferromagnetic Schicht ein Metall enthält, das von der Gruppe vorgewählt wird, die aus Ru, OS, Re, Tc, Cd, Ti, Zn, Al, Au, Ir, Palladium, Pint, relative Feuchtigkeit, AG, Notiz:, MO, W, V und alpha.-Alpha.-Ta oder eine Legierung einschließlich ein Element des vorgewählten Metalls besteht.
