There is proposed a high-sensitive TMR element wherein the selection of
electronic state contributing to tunnel conduction is optimized. In this
invention, a junction plane between a ferromagnetic layer (210) having a
bcc structure and a tunnel barrier layer (310) is constituted by (211)
plane or (110) plane of the ferromagnetic layer (210). The tunnel barrier
layer (310) is formed of a thin aluminum oxide film which is formed
through two stages, i.e. a first stage wherein an aluminum film having a
thickness of 1 nm or less is formed on the surface of a magnetic metal by
taking advantage of the excellent wettability of aluminum to the surface
of metallic film, the resultant aluminum film being subsequently naturally
oxidized or oxidized by oxygen radical; and a second stage wherein an
aluminum thin film is formed directly from an aluminum flux in an oxygen
atmosphere or an atmosphere of oxygen radical.
Là est proposé un élément haut-sensible de TMR où le choix de l'état électronique contribuant à la conduction de tunnel est optimisé. Dans cette invention, un avion de jonction entre une couche ferromagnétique (210) ayant une structure de bcc et une couche-barrière de tunnel (310) est constitué en le plan (de 211) le plan ou (110) de la couche ferromagnétique (210). La couche-barrière de tunnel (310) est constituée d'un film mince d'oxyde d'aluminium qui est formé par deux étapes, c.-à-d. une première étape où un film en aluminium ayant une épaisseur de 1 nm ou de moins est formée sur la surface d'un métal magnétique en tirant profit de l'excellente mouillabilité de l'aluminium sur la surface du film métallique, le film en aluminium résultant plus tard naturellement oxydé ou oxydé par le radical de l'oxygène ; et une deuxième étape où une couche mince en aluminium est formée directement d'un flux en aluminium dans une atmosphère de l'oxygène ou une atmosphère de radical de l'oxygène.
