The present invention provides a new backside treatment of the wafer.
Trenches are cut into the top surface of the wafer by sawing or etching,
and after grinding the wafer from the bottom side, a protective material
is applied as a surface layer to the bottom surface while filling the
trenches with this material. The material is hardened in order to
accomplish the sawing process. In another embodiment of the present
method, a double foil layer is applied to the rear side of the wafer
including a mounting tape and a protective layer facing the wafer rear
side.
A invenção atual fornece um tratamento novo da parte traseira do wafer. As trincheiras são cortadas na superfície superior do wafer sawing ou gravando, e após ter moído o wafer do lado inferior, um material protetor é aplicado como uma camada de superfície à superfície inferior ao encher as trincheiras com este material. O material é endurecido a fim realizar o processo sawing. Em uma outra incorporação do método atual, uma camada dobro da folha é aplicada ao lado traseiro do wafer including uma fita adesiva da montagem e uma camada protetora que enfrentam o lado traseiro do wafer.
