A lithography method for use in the manufacture of semiconductor devices,
which prevents lithographic exposure of a periphery region or edge region
of a semiconductor wafer and which prevents the formation of black silicon
related particle contamination in a patterned region on the periphery
region as a result of, e.g., a deep trench manufacturing process. A
quencher solution is applied at peripheral areas of the wafer on which a
photoresist layer is formed. The quencher solution neutralizes acid
generated in the photoresist when the photoresist is exposed to radiation,
thereby preventing the photoresist on the peripheral region of the wafer
to dissolve during a subsequent developing process.
Une méthode de lithographie pour l'usage dans la fabrication des dispositifs de semi-conducteur, de qui empêche l'exposition lithographique d'une région de périphérie ou de la région de bord d'une gaufrette de semi-conducteur et en raison de qui empêche la formation de la contamination reliée par silicium noir de particules dans une région modelée sur la région de périphérie, par exemple, un processus de fabrication profond de fossé. Une solution d'extincteur est appliquée aux secteurs périphériques de la gaufrette sur laquelle une couche de vernis photosensible est formée. La solution d'extincteur neutralise l'acide produit dans le vernis photosensible quand le vernis photosensible est exposé au rayonnement, empêchant de ce fait le vernis photosensible sur la région périphérique de la gaufrette pour se dissoudre pendant un processus se développant suivant.
