A method is disclosed for removal of free halogen from a semiconductor
device insulating layer, in particular, a halogen-containing polymer
insulating layer. The free halogen is removed by contacting the insulating
material with hydrogen ions under conditions which generate gaseous
hydrogen halide which is then removed. A semiconductor device containing
such treated insulating materials is also disclosed. The invention is
particularly useful in removing free fluorine from fluorinated polymer
insulating layers.
Un método se divulga para el retiro del halógeno libre de una capa de aislamiento del dispositivo de semiconductor, en detalle, de una capa de aislamiento con halógeno del polímero. El halógeno libre es quitado entrando en contacto con el material aislador con los iones de hidrógeno bajo condiciones que generen el halide gaseoso del hidrógeno que entonces se quita. Un dispositivo de semiconductor que contiene tales los materiales aisladores tratados también se divulga. La invención es particularmente útil en quitar el flúor libre de capas de aislamiento fluoradas del polímero.
