A heavily doped semiconductor layer is formed over the barrel of a vertical
cavity surface emitting laser (VCSEL), providing current conduction and
current spreading across and into the aperture of a laser barrel, while
eliminating the need for a light-obstructing conductive electrical contact
overhang. The VCSEL comprises a substrate, a first distributed Bragg
reflector (DBR), an active region, a second DBR having a non-conductive
ion implantation region and a laser barrel region with a first diameter,
the heavily doped semiconductor layer, and a conductive electrical
contact. The conductive electrical contact defines an opening with a
second diameter that is greater than the first diameter.
Una capa pesadamente dopada del semiconductor se forma sobre el barril de un laser que emite superficial de la cavidad vertical (VCSEL), proporcionando la conducción actual y separarse actual a través y en de la abertura de un barril del laser, mientras que elimina la necesidad de una proyección conductora del contacto eléctrico luz-que obstruye. El VCSEL abarca un substrato, un primer reflector distribuido de Bragg (DBR), una región activa, un segundo DBR que tiene una región non-conductive de la implantación de ion y una región del barril del laser con un primer diámetro, la capa pesadamente dopada del semiconductor, y un contacto eléctrico conductor. El contacto eléctrico conductor define una abertura con un segundo diámetro que sea mayor que el primer diámetro.
