There is disclosed an improved semiconductor laser device (10;10a), eg a
single mode index guided laser diode. The device (10;10a) comprises: an
optical waveguide (15;15a); at least one electrical contact (20;20a)
extending along part of a length of the waveguide (15;15a); and wherein
the at least one electrical contact (20;20a) is shorter than the optical
waveguide (15;15a). By this arrangement a part or parts of the waveguide
(15;15a) are not electrically pumped, in use.
Wird einer verbesserten Halbleiterlaser Vorrichtung (10;10a), z.B. einer geführten Diode Laser des einzelnen Modus Index freigegeben. Die Vorrichtung (10;10a) enthält: ein optischer Wellenleiter (15;15a); mindestens ein elektrischer Kontakt (20;20a) verlängernd entlang Teil einer Länge des Wellenleiters (15;15a); und worin der mindestens ein elektrische Kontakt (20;20a) kürzer als der optische Wellenleiter (15;15a) ist. Durch diese Anordnung werden ein ein Teil oder die Teile des Wellenleiters (15;15a) nicht elektrisch, in Gebrauch gepumpt.
