A ferroelectric memory device and a method of fabricating the same are
provided. The ferroelectric memory device includes at least two capacitor
patterns and a plate line. Each of the capacitor patterns includes a lower
electrode, a ferroelectric layer, and an upper electrode that are stacked
on a semiconductor substrate. A top of the plate line is covered with an
oxygen barrier layer, and a sidewall of the plate line is covered with an
oxygen barrier spacer.
Een ferroelectric geheugenapparaat en een methode om het zelfde worden te vervaardigen verstrekt. Het ferroelectric geheugenapparaat omvat minstens twee condensatorpatronen en een plaatlijn. Elk van de condensatorpatronen omvat een lagere elektrode, een ferroelectric laag, en een hogere elektrode die op een halfgeleidersubstraat worden gestapeld. Een bovenkant van de plaatlijn is behandeld met een laag van de zuurstofbarrière, en een zijwand van de plaatlijn is behandeld met een verbindingsstuk van de zuurstofbarrière.
