It is an object of the present invention to control the crystal orientation
of a ferroelectric thin film as dictated by the application of a
ferroelectric thin film device. To accomplished the stated object, a
bottom electrode containing at least iridium is formed over a surface
preparation layer whose main component is zirconium oxide, and an
ultra-thin titanium layer is laminated over the bottom electrode. An
amorphous layer containing the elemental metal and elemental oxygen that
constitute the ferroelectric is formed over the titanium layer, and a
crystallized ferroelectric thin film is formed by heat treating this
amorphous layer. If the thickness of the titanium layer is kept between 2
nm and 10 nm in the lamination thereof, the ferroelectric thin film will
have a priority orientation of (100), and if it is kept between 10 nm and
20 nm, the ferroelectric thin film will have a priority orientation of
(111).
Είναι ένα αντικείμενο της παρούσας εφεύρεσης για να ελέγξει τον προσανατολισμό κρυστάλλου μιας σιδηροηλεκτρικής λεπτής ταινίας όπως υπαγορεύεται από την εφαρμογή μιας σιδηροηλεκτρικής συσκευής λεπτών ταινιών. Ολοκλήρωσε το δηλωμένο αντικείμενο, ένα κατώτατο ηλεκτρόδιο που περιέχει τουλάχιστον το ιρίδιο διαμορφώνεται πέρα από ένα στρώμα προετοιμασιών επιφάνειας το του οποίου κύριο συστατικό είναι οξείδιο ζιρκονίου, και ένα ultra-thin στρώμα τιτανίου είναι τοποθετημένο σε στρώματα πέρα από το κατώτατο ηλεκτρόδιο. Ένα άμορφο στρώμα που περιέχει το στοιχειώδες μέταλλο και το στοιχειώδες οξυγόνο που αποτελούν το σιδηροηλεκτρικό διαμορφώνεται πέρα από το στρώμα τιτανίου, και μια κρυσταλλωμένη σιδηροηλεκτρική λεπτή ταινία διαμορφώνεται με την επεξεργασία με θερμότητα αυτού του άμορφου στρώματος. Εάν το πάχος του στρώματος τιτανίου κρατιέται μεταξύ 2 NM και 10 NM στην ελασματοποίηση επ' αυτού, η σιδηροηλεκτρική λεπτή ταινία θα έχει έναν προσανατολισμό προτεραιότητας (100), και εάν κρατιέται μεταξύ 10 NM και 20 NM, η σιδηροηλεκτρική λεπτή ταινία θα έχει έναν προσανατολισμό προτεραιότητας (111).
