A memory cell in a MRAM includes four N channel MOS transistors responsive
to a write permit signal attaining an H level to connect program lines of
first and second tunneling magneto-resistance elements between first and
second storage nodes and a line of ground potential to write signals in
the first and second storage nodes to the first and second tunneling
magneto-resistance elements. The writing of signals to first and second
tunneling magneto-resistance elements can be performed more rapidly than
the conventional case where signals in the first and second storage nodes
are read out, and then written into the tunneling magneto-resistance
elements via a write circuit and a write bit line pair.
Une cellule de mémoire dans un MRAM inclut quatre transistors de MOS de canal de N sensibles à un signal de laiss d'inscription atteignant un niveau de H pour relier des lignes de programme de d'abord et les éléments de magnétorésistance en second lieu de perçage d'un tunnel entre d'abord et les deuxièmes noeuds de stockage et une ligne du potentiel au sol à écrivent des signaux dans les premiers et deuxièmes noeuds de stockage aux premiers et deuxièmes éléments de magnétorésistance de perçage d'un tunnel. L'écriture des signaux des éléments de magnétorésistance à d'abord et en second lieu de perçage d'un tunnel peut être exécutée plus rapidement que le cas conventionnel où des signaux dans les premiers et deuxièmes noeuds de stockage sont donnés lecture , et alors être écrite dans les éléments de magnétorésistance de perçage d'un tunnel par l'intermédiaire d'un circuit et paire de lignes d'inscription de peu d'inscription.
